手机进化再迈进一大步，如果可以更长时间不充电，肯定让使用者更方便，而这可能很快便可成真。

三星和IBM日前共同发表他们最新的半导体设计架构，让晶片上的电晶体以垂直的方式堆迭，藉此提高电晶体密度，进而提升晶片效能和降低功耗，甚至可望让手机电池续航力长达一周。

科技网站The Verge报导，这种名为“垂直传输场效应电晶体”（VTFET）的设计架构，可望取代现今用于部分最先进晶片的鳍式场效电晶体（FinFET）架构。VTFET架构将垂直堆迭电晶体，让电流以上下的方式流通，而非目前用于多数晶片的水平排列方式。

儘管距离VTFET架构真正用于消费性产品的晶片，还有一段时间，三星和IBM如今却做出一些重大宣称，例如VTFET架构的晶片，可望比FinFET架构“增加两倍的效能、降低85%的功耗”。

这两家公司指出，透过在晶片堆迭更多电晶体，VTFET技术可望有助维持“摩尔定律”的目标，也就是随时间推移，还能稳定增加晶片电晶体的数量。

三星和IBM另指出，这项新技术可望用于具企图心的使用情境，因而提出一些构想，例如“手机电池续航力在不充电的情况下撑一周，而非几天”、电力密集度较低的加密币挖矿与资料加密，甚至用在效能更强的物联网（IoT）装置、太空船。

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